Заголовок элемента	Материал	Цвет	Длина волны	Тил линзы	Размер	Сила света Iv(мкд) @20mA Мин.	Сила света Iv(мкд) @20mA Тип.	Угол рассеивания
L-819YYD	GaAsP/GaP-GaAsP/GaP		588 588 нм	желтый рассеянный		10 10	30 30	50
L-819IID	GaAsP/GaP-GaAsP/GaP		625 625 нм	красный рассеянный		36 36	80 80	50
L-799SURKMGKW	AlGaInP-AlGaInP		630 570 нм	белый рассеянный		380 50	600 130	50
L-799SRSGW-CC	GaAlAs-GaP		640 568 нм	белый рассеянный		110 18	200 50	50
L-799EGW	GaAsP/GaP-GaP		625 568 нм	белый рассеянный		36 18	80 50	50
L-154A4SUREQBFZGEW	AlGaInP-InGaN-InGaN		630 465 525 нм	белый рассеянный		380 280 980	750 420 1700	60
L-154A4SUREQBFZGEC	AlGaInP-InGaN-InGaN		630 465 525 нм	прозрачный		650 1200 2800	1200 1700 3800	50
L-154A4SURKQBDZGW	AlGaInP-InGaN-InGaN		630 470 525 нм	белый рассеянный		280 110 280	500 350 750	60
L-154A4SURKQBDZGC	AlGaInP-InGaN-InGaN		630 470 525 нм	прозрачный		380 480 480	700 1000 1300	50
L-59SURKSGC	AlGaInP/GaP		630 568 нм	прозрачный		900 70	2800 200	24
L-59SRSGC-CC	GaAlAs-GaP		640 568 нм	прозрачный		280 70	600 200	24
L-59GYC	GaAsP/GaP-GaP		568 588 нм	прозрачный		70 18	150 60	24
L-59EYC	GaAsP/GaP-GaAsP/GaP		625 588 нм	прозрачный		70 18	150 60	24
L-59EGC	GaAsP/GaP-GaP		625 568 нм	прозрачный		70 70	150 150	24
L-59SURKMGKW	AlGaInP-AlGaInP		630 570 нм	белый рассеянный		280 50	700 170	60

Страница 2 из 4